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        1. 蘇州納米所兩支隊伍榮獲中國研究生創“芯”大賽三等獎

            中國研究生創新實踐系列大賽——“華為杯”第四屆中國研究生創“芯”大賽落下帷幕,來自清華大學、北京大學、中國科學技術大學、復旦大學、上海交通大學、電子科技大學、西安電子科技大學等在內的110所研究生培養單位,499支團隊,1439名學生和427位指導老師積極參與。經過兩周艱難競技,通過基礎題考試、答辯以及上機設計等環節,最終來自蘇州納米所加工平臺張寶順團隊的2支隊伍“GaN Team”和“芯星”脫穎而出,獲得全國總決賽三等獎。2016年蘇州納米所研究生教育歸口至中國科學技術大學,共同成立中科大納米技術與納米仿生學院(科教融合學院),此次納米所組建的兩隊伍,是中國科學技術大學入圍總決賽并最終獲獎的參賽隊伍,展示了中國科學技術大學科教融合單位在新型半導體材料與器件研究方面的創新能力。 

            由魏星、唐文昕、劉偉寧三名同學組成的“GaN Team”團隊,共同完成參賽作品《低碳時代——高壓低功耗氮化鎵功率半導體器件》(指導老師:張曉東、于國浩)。團隊創新性地引入“p-GaN條形陣列柵”設計,將p-GaN柵GaN功率半導體器件的耐壓從1178 V提升至1449 V,且在2000 V仍未達到“硬擊穿”,器件表現出1.45 kV / 2.96 mΩ·cm2的優異性能,目前已將器件優值(BFOM)提升至1.79 GW/cm2,未來有望應用于電動汽車快速充電系統和工業設備等。 

            由陳體威、唐文博、馬永健三名同學組成的“芯星”團隊,共同完成了參賽作品《自驅動光譜可區分紫外探測器》(指導老師:張曉東)。團隊成功實現了基于ε-Ga2O3/GaN外延異質結的自驅動UVA/UVC雙紫外波段探測器,創新性地引入Ga金屬自反應刻蝕獲得自組裝納米孔結構,將薄膜表面反射率從15%降低到了8%,器件的響應度從13.1 mA W-1提升到43.9 mA W-1,同時噪聲電流仍保持在40 pA的極低水平,更進一步分析了大注入條件下光電流極性反轉的現象,在面向低能耗、高信噪比的紫外光通信應用中展示出了極大的潛力。 

            大賽簡介 

            中國研究生創“芯”大賽由教育部學位管理與研究生教育司指導,中國學位與研究生教育學會、中國科協青少年科技中心主辦。賽事是面向全國高等院校及科研院所在讀研究生的一項團體性集成電路設計創意實踐活動。旨在成為研究生展示集成電路設計能力的舞臺,進行良好創新實踐訓練的平臺,為參賽學生提供知識交流和實踐探索的寶貴機會。大賽每年舉辦一次,今年為第四屆。賽事覆蓋全國大部分集成電路相關專業研究生培養高校及科研院所,在促進青年創新人才成長、遴選優秀人才等方面發揮了積極作用,受到政府各部門、高等院校、企事業單位和社會媒體等方面的廣泛關注和高度重視。 


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